|
|---|
| 1 |
Übersicht |
| 1.1 |
Dioden und Gleichrichter |
| 1.2 |
Bipolar-Transistoren |
| 1.3 |
Feldeffekt-Transistoren |
| 1.4 |
Thyristoren |
| 1.5 |
Mikrowellen-Bauteile |
| 1.6 |
Optoelektronische Elemente |
|
|---|
| 1.1 |
Dioden und Gleichrichter |
| 1.1.1 |
Germanium-Kleinsignaldioden |
| 1.1.2 |
Germanium-Gleichrichterdioden |
| 1.1.3 |
Silizium-Kleinsignaldioden |
| 1.1.4 |
Silizium-Gleichrichterdioden |
| 1.1.5 |
Silizium-Zenerdioden und Überspannungsableiter |
| 1.1.6 |
Silizium-Kapazitätsdioden |
| 1.1.7 |
Silizium-Schottky-Dioden |
|
|---|
| 1.2 |
Bipolar-Transistoren |
| 1.2.1 |
Germanium-Kleinsignaltransistoren |
| 1.2.2 |
Germanium-Leistungstransistoren |
| 1.2.3 |
Silizium-Kleinsignaltransistoren |
| 1.2.4 |
Silizium-Leistungstransistoren |
| 1.2.5 |
Siliziumtransistoren mit eingebauten Basis-Widerständen |
| 1.2.6 |
Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) |
|
|---|
| 1.3 |
Feldeffekt-Transistoren |
| 1.3.1 |
Silizium-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren - Kleinsignaltypen |
| 1.3.2 |
Silizium-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren - Leistungstypen |
| 1.3.3 |
Silizium-MOS-Feldeffekt-Transistoren - selbstleitende Kleinsignaltypen |
| 1.3.4 |
Silizium-MOS-Feldeffekt-Transistoren - selbstleitende Leistungstypen |
| 1.3.5 |
Silizium-MOS-Feldeffekt-Transistoren - selbstsperrende Kleinsignaltypen |
| 1.3.6 |
Silizium-MOS-Feldeffekt-Transistoren - selbstsperrende Leistungstypen |
| 1.3.7 |
Galliumarsenid-MES-Feldeffekt-Transistoren - selbstleitende Kleinsignaltypen |
|
|---|
| 1.4 |
Thyristoren |
| 1.4.1 |
Kleinsignaltypen |
| 1.4.2 |
Leistungstypen |
|
|---|
| 1.5 |
Mikrowellen-Bauteile |
| 1.5.1 |
Germanium-Tunneldioden |
| 1.5.2 |
Silizium-Tunneldioden |
| 1.5.3 |
Galliumarsenid-Tunneldioden |
| 1.5.4 |
Misch- und Detektor-Dioden |
|
|---|
| 1.6 |
Optoelektronische Elemente |
| 1.6.1 |
Germanium-Fotodioden |
| 1.6.2 |
Germanium-Fototransistoren |
| 1.6.3 |
Silizium-Fotodioden |
| 1.6.4 |
Silizium-Fotoelemente, Solarzellen |
| 1.6.5 |
Silizium-Fototransistoren |
| 1.6.6 |
Silizium-Fotothyristoren |
| 1.6.7 |
Fotowiderstände |
| 1.6.8 |
Opto-Emitter |
| 1.6.9 |
Optokoppler, Lichtschranken |
| 1.6.10 |
Optoelektronische integrierte Schaltungen |
|
|---|
| 2 |
Statische Kenndaten |
| 2.1 |
Dioden und Gleichrichter |
| 2.2 |
Bipolar-Transistoren |
| 2.3 |
Feldeffekt-Transistoren |
| 2.5 |
Mikrowellen-Bauteile |
|
|---|
| 2.1 |
Dioden und Gleichrichter |
| 2.1.1 |
Germaniumdioden in Durchlassrichtung |
| 2.1.2 |
Germaniumdioden in Sperrrichtung |
| 2.1.3 |
Germaniumgleichrichter in Durchlassrichtung |
| 2.1.4 |
Germaniumgleichrichter in Sperrrichtung |
| 2.1.5 |
Siliziumdioden in Durchlassrichtung |
| 2.1.6 |
Siliziumdioden in Sperrrichtung |
| 2.1.7 |
Siliziumgleichrichter in Durchlassrichtung |
| 2.1.8 |
Siliziumgleichrichter in Sperrrichtung |
| 2.1.9 |
Spannungsstablisatoren |
|
|---|
| 2.2 |
Bipolar-Transistoren |
| 2.2.1 |
Germanium-Kleinsignaltypen im leitenden Zustand (eingeschaltet) |
| 2.2.2 |
Germanium-Kleinsignaltypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet) |
| 2.2.3 |
Germanium-Leistungstypen im leitenden Zustand (eingeschaltet) |
| 2.2.4 |
Germanium-Leistungstypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet) |
| 2.2.5 |
Silizium-Kleinsignaltypen im leitenden Zustand (eingeschaltet) |
| 2.2.6 |
Silizium-Kleinsignaltypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet) |
| 2.2.7 |
Silizium-Leistungstypen im leitenden Zustand (eingeschaltet) |
| 2.2.8 |
Silizium-Leistungstypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet) |
|
|---|
| 2.3 |
Feldeffekt-Transistoren |
| 2.3.1 |
Silizium-Sperrschicht-Kleinsignaltypen im leitenden Zustand (eingeschaltet) |
| 2.3.2 |
Silizium-Sperrschicht-Kleinsignaltypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet) |
| 2.3.3 |
Silizium-Sperrschicht-Leistungstypen im leitenden Zustand (eingeschaltet) |
| 2.3.4 |
Silizium-Sperrschicht-Leistungstypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet) |
| 2.3.5 |
Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen im leitenden Zustand (eingeschaltet) |
| 2.3.6 |
Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet) |
| 2.3.7 |
Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen im leitenden Zustand (eingeschaltet) |
| 2.3.8 |
Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet) |
| 2.3.9 |
Selbstsperrende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen im leitenden Zustand (eingeschaltet) |
| 2.3.10 |
Selbstsperrende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet) |
| 2.3.11 |
Selbstsperrende Silizium-MOS-Leistungstypen im leitenden Zustand (eingeschaltet) |
| 2.3.12 |
Selbstsperrende Silizium-MOS-Leistungstypen im gesperrten Zustand (ausgeschaltet) |
|
|---|
| 2.5 |
Mikrowellen-Bauteile |
| 2.5.1 |
Tunneldioden |
| 2.5.2 |
Misch- und Detektor-Dioden in Durchlassrichtung |
| 2.5.3 |
Misch- und Detektor-Dioden in Sperrrichtung |
|
|---|
| 3 |
Dynamische Kenndaten |
| 3.1 |
Dioden und Gleichrichter |
| 3.2 |
Bipolar-Transistoren |
| 3.3 |
Feldeffekt-Transistoren |
| 3.5 |
Mikrowellen-Bauteile |
|
|---|
| 3.1 |
Dioden und Gleichrichter |
| 3.1.1 |
Demodulatordioden |
| 3.1.2 |
Schaltdioden |
| 3.1.3 |
Varicaps - Kapazitätsdioden |
| 3.1.5 |
Silizium-Gleichrichterdioden |
| 3.1.9 |
Zenerdioden und Überspannungsableiter |
|
|---|
| 3.2 |
Bipolar-Transistoren |
| 3.2.1 |
Germanium-Kleinsignaltypen |
| 3.2.2 |
Germanium-Leistungstypen |
| 3.2.3 |
Silizium-Kleinsignaltypen |
| 3.2.4 |
Silizium-Leistungstypen |
| 3.2.5 |
Kleinsignalparameter für Niederfrequenz-Verstärker |
| 3.2.6 |
Kleinsignalparameter für Hochfrequenz-Verstärker |
| 3.2.9 |
Abgleichparameter für Transistorpaare |
|
|---|
| 3.3 |
Feldeffekt-Transistoren |
| 3.3.1 |
Silizium-Sperrschicht-Kleinsignaltypen |
| 3.3.2 |
Silizium-Sperrschicht-Leistungstypen |
| 3.3.3 |
Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen |
| 3.3.4 |
Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen |
| 3.3.5 |
Selbstsperrende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen |
| 3.3.6 |
Selbstsperrende Silizium-MOS-Leistungstypen |
|
|---|
| 3.5 |
Mikrowellen-Bauteile |
| 3.5.1 |
Tunneldioden |
|
|---|
| 4 |
Niederfrequenzverstärker |
| 4.1 |
Spannungsverstärker in RC-Kopplung mit Bipolar-Transistoren |
| 4.2 |
Eintakt-Leistungsverstärker mit Bipolar-Transistoren |
| 4.3 |
Gegentakt-Leistungsverstärker mit Bipolar-Transistoren |
| 4.4 |
Gegentakt-Leistungsverstärker ohne Ausgangstransformator mit Bipolar-Transistoren |
|
|---|
| 5 |
Amateurfunk-Sendeverstärker |
| 5.1 |
Treiber- und Endstufen mit Bipolar-Transistoren |
|
|---|
| 6 |
Amateurfunkanwendungen unterschiedlicher Art |
| 6.1 |
Hochfrequenz-Detektor |
| 6.2 |
HF- und Breitbandverstärker mit Bipolar-Transistoren |
| 6.3 |
HF- und Breitbandverstärker mit Feldeffekt-Transistoren |
| 6.5 |
Mischstufen |
|
|---|
| 7 |
Digitale Schaltungen |
| 7.1 |
Schalteigenschaften von Germanium-Bipolartransistoren |
| 7.2 |
Schalteigenschaften von Silizium-Bipolartransistoren |
| 7.3 |
Schalteigenschaften von Silizium-Feldeffekt-Transistoren |
|
|---|
| 7.1 |
Schalteigenschaften von Germanium-Bipolartransistoren |
| 7.1.1 |
Kleinsignaltypen |
| 7.1.2 |
Leistungtypen |
|
|---|
| 7.2 |
Schalteigenschaften von Silizium-Bipolartransistoren |
| 7.2.1 |
Kleinsignaltypen |
| 7.2.2 |
Leistungtypen |
|
|---|
| 7.3 |
Schalteigenschaften von Silizium-Feldeffekt-Transistoren |
| 7.3.1 |
Silizium-Sperrschicht-Kleinsignaltypen |
| 7.3.6 |
Leistungs-MOSFETs |
|
|---|
| 8 |
Verschiedene Betriebsdaten |
| 8.1 |
Einweggleichrichter |
| 8.2 |
Zweiweggleichrichter |
| 8.3 |
Brückengleichrichter |
| 8.4 |
Inversdioden |
|
|---|
| 9 |
Grenzwerte |
| 9.1 |
Dioden und Gleichrichter |
| 9.2 |
Bipolar-Transistoren |
| 9.3 |
Feldeffekt-Transistoren |
| 9.4 |
Thyristoren |
| 9.5 |
Mikrowellen-Bauteile |
| 9.6 |
Optoelektronische Elemente |
|
|---|
| 9.1 |
Dioden und Gleichrichter |
| 9.1.1 |
Germanium-Dioden |
| 9.1.2 |
Germanium-Gleichrichter |
| 9.1.3 |
Silizium-Dioden |
| 9.1.4 |
Silizium-Gleichrichter |
| 9.1.5 |
Silizium-Zenerdioden und Überspannungsableiter |
| 9.1.6 |
Silizium-Kapazitätsdioden |
|
|---|
| 9.2 |
Bipolar-Transistoren |
| 9.2.1 |
Germanium-Kleinsignaltypen |
| 9.2.2 |
Germanium-Leistungstypen |
| 9.2.3 |
Silizium-Kleinsignaltypen |
| 9.2.4 |
Silizium-Leistungstypen |
| 9.2.5 |
Siliziumtransistoren mit eingebauten Basis-Widerständen |
| 9.2.6 |
Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) |
|
|---|
| 9.3 |
Feldeffekt-Transistoren |
| 9.3.1 |
Silizium-Sperrschicht-Kleinsignaltypen |
| 9.3.2 |
Silizium-Sperrschicht-Leistungstypen |
| 9.3.3 |
Selbstleitende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen |
| 9.3.4 |
Selbstleitende Silizium-MOS-Leistungstypen |
| 9.3.5 |
Selbstsperrende Silizium-MOS-Kleinsignaltypen |
| 9.3.6 |
Selbstsperrende Silizium-MOS-Leistungstypen |
| 9.3.7 |
Selbstleitende Galliumarsenid-MES-Kleinsignaltypen |
| 9.3.10 |
Lawinenenergie bei Silizium-MOS-Leistungstypen |
|
|---|
| 9.4 |
Thyristoren |
| 9.4.1 |
Kleinsignaltypen |
| 9.4.2 |
Leistungstypen |
|
|---|
| 9.5 |
Mikrowellen-Bauteile |
| 9.5.1 |
Tunneldioden |
| 9.5.4 |
Misch- und Detektor-Dioden |
|
|---|
| 9.6 |
Optoelektronische Elemente |
| 9.6.3 |
Silizium-Fotodioden |
| 9.6.5 |
Silizium-Fototransistoren |
| 9.6.8 |
Opto-Emitter |
|
|---|
| A |
Anhang |
| A.1 |
Symbole |
| A.2 |
Hinweise und Bemerkungen |
| A.4 |
Anschlussbelegungen |
| A.6 |
Hersteller und Quellen |
| A.7 |
Abbildungen |
| A.8 |
Schaltungen |
| A.9 |
Index |
|
|---|
| A.4 |
Anschlussbelegungen |
| A.4.1 |
Gehäuse und Anschlusstypen |
| A.4.2 |
Elektroden- und Anschlussbezeichnungen |
| A.4.3 |
Zählweise der Anschlüsse |
A.4.4
|
Anschlusstabellen |
A.4.5
|
Innenschaltungen |
|
|---|
| A.6 |
Hersteller und Quellen |
| A.6.1 |
Identifikation der Hersteller |
| A.6.2 |
Primärliteratur - Herstellerpublikationen |
| A.6.3 |
Sekundärliteratur - Halbleitertabellen |
| A.6.4 |
Russische Bauteile identifizieren |
| A.6.6 |
Datenbuch-Inhalte |
| A.6.8 |
Über diese Datenbank |
| A.6.9 |
Copyright-Angaben |
|
|---|
| A.7 |
Abbildungen |
| A.7.1 |
Dimensionen und Anschlussnumerierung |
| A.7.2 |
Metallgehäuse |
| A.7.3 |
Metall-Keramik-Gehäuse |
| A.7.4 |
Glasgehäuse |
| A.7.5 |
Plastikgehäuse |
|
|---|
| A.8 |
Schaltungen |
| A.8.1 |
NF-Spannungsverstärker in RC-Kopplung |
| A.8.3 |
NF-Eintakt-Endstufen |
| A.8.4 |
NF-Gegentakt-Endstufen |
| A.8.5 |
Ausgangstransformatorlose Gegentakt-Endstufen |
| A.8.8 |
Gleichrichterschaltungen |
| A.8.9 |
Detektor- und andere Empfangsschaltungen |
| A.8.10 |
Mischstufen und Oszillatoren |
| A.8.11 |
Hochfrequenz-Verstärker |
| A.8.14 |
Test- und Messschaltungen |
|
|---|
| A.9 |
Index |
| A.9.1 |
Liste aller verfügbaren Typen |
| A.9.2 |
SMD-Codes |
| A.9.3 |
Farbcodes |
| A.9.4 |
Liste der Komplementärtransistoren |
|
|---|
| B |
Geschichte der Halbleiterentwicklung und Grundlagen |
| B.8 |
Glossar - Erklärung elektrotechnischer Begriffe |
|
|---|
| C |
SemiLinx - Web-Seiten mit halbleiterspezifischen Themen |
| C.0 |
Aktuelle Informationen |
|
|---|
| D |
Hintergrundinformationen |
| D.1 |
Seitenübersicht |
| D.1.1 |
Verlinkte HTML-Dateien (ISO-8859-1-Codierung) |
